新闻中心
|
欢迎参加AWR公司关于“在MWO中进行GaN微波单片集成电路和离散功率放大器设计” |
|
主讲人： Milton Lien 职务：大中华区技术经理 |
| 演讲主题（中/英文）：在MWO中进行GaN微波单片集成电路和离散功率放大器设计 GaN MMIC and discrete PA design in MWO |
| 会议概要： |
|
本文提出了GaN世界各地R&D和生产的介绍、GaN物理/设备结构、GaN器件大信号模型和一些Cree离散和UMS单片的例子。许多研究计划由军事、政府组织和美国、日本和欧洲的公司机构资助。它告知了观众与GaAs成熟的技术不同，GaN仍然是非常热门的R&D发展中。GaN HEMT的二维电子气有着高电子迁移率，击穿电场和每瓦特高峰功率下低电容特性。它使需要高电压的摆幅的应用可以有新的放大器的架构。GaN设备供应商提供的高品质大信号模型包含所有晶体管电流和寄生电容的非线性。这些模型允许设计师充满信心地设计增益、噪升指数、IP3、饱和功率、PAE等。UMS单片和Cree离散到480W的设计例子也会在这次演讲中展现。 |
|
This paper presents an introduction of GaN R&D and production activity worldwide, GaN Physics/device structure, GaN HEMT Large signal models and some Cree discrete and UMS monolithic examples. Many research programs are financed by military, governmental organizations and corporate bodies of the USA, Japan and Europe. It is meant to inform the audience that unlike GaAs which is a mature technology, GaN is still a hot R&D activity. GaN HEMTS have 2DEG of carriers that have a high electron mobility, electric field before breakdown and low capacitances per peak watt. It enables the new amplifier architectures that require high voltage swings. High quality large signal models are available from all of the GaN device vendors including the nonlinearity introduced by the drain/gate current and parasitic capacitances. These models allow the designer to design for gain, noise, IP3, saturated power, PAE etc. with confidence. Design examples of UMS monolithic and Cree discrete up to 480W are also demonstrated. |
|
欢迎：射频、微波和毫米波设计应用领域，手机，卫星通信系统和其他无线通信电子产品的设计者参会 |
| 听会预约请点击 此 处 |
 |
| 关于AWR |
|
AWR公司是全球射频/微波电子设计自动化(EDA)工具的领先供应商与行业领跑者，其EDA产品广泛用于手机，卫星通信系统和其他无线通信电子产品的设计与仿真。应用AWR产品进行设计，工程师可以快速开发出高技术含量，稳定可靠的新产品，大幅提高设计效率，降低成本。AWR公司软件主要为射频集成电路（RFIC），多芯片组件（MCM），含有高频无线电路及系统的印刷电路板（PCB）及光电市场所应用。AWR公司提供了一套完整的EDA软件解决方案，真正简化了产品的概念，仿真到生产的整个流程。AWR公司也就产品库的建立和设计方法提供咨询服务。 |
