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MACOM 发布硅衬底GaN功率放大器绝佳方案 |
IME/China上海国际微波及天线技术展览会作为业内领军企业全面展示新技术、产品和解决方案的最佳平台外,其同期举办的研讨会、论坛也一直以新颖的论题、高质量的演讲、专业的组织吸引着越来越多展商和观众的关注,成为展会的另一个亮点。 |
MACOM作为IME的老朋友,此次参展(展位号B090)将带来硅衬底GaN功率放大器绝佳方案与各位亲们分享。老时间,老地方,MACOM等你来! |
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中/英文主题: |
硅衬底GaN功率放大器 GaN-on-Silicon Based Integrated Amplifiers |
演讲人:Raymond A. Baker |
职务:Field Applications Engineer |
会议内容: |
本文介绍一系列宽带的集成的5-25W的硅衬底的GaN中等功率放大器(GaN-Si),该系列放大器是GaAs HBT 增益模块升级替换的绝佳方案,提供更好的功率输出功率和效率。和传统器件相比,该系列器件集中了分立器件和单片集成器件的优点,采用了独特的SMT方案。 |
This paper describes the design and application of simple broadband GaN-on-Si solutions to medium power requirements in the 5 to 25 Watt range. These new amplifiers offer the ease-of-use historically associated with GaAs HBT gain blocks but at much higher power and efficiency levels. A review of conventional solutions and the tradeoffs between discrete and monolithic approaches will show the unique benefits of this new mixed technology SMT solution. |
关于MACOM |
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